0
0

The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics

دانلود رایگان
کد محصول: MMMOSFET6
مجموعه : مجموعه محصولات مقاله MOSFET توليد کننده: IOPIOP
تعداد :
+

مشخصات محصول انتخابی شما

معرفی اجمالی محصول

نام انگلیسی مقاله:

The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub - 100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics

نام فارسی مقاله:

تاثیر و توجیه کاهش دیواره درین القا شده بر روی 100 ماسفت نانومتری با دی الکتریک های گیت  K

مقاله فوق را می‌توانید در قالب یک فایل PDF به صورت رایگان دانلود کنید.

همچنین می‌توانید ترجمه چکیده مقاله را نیز به صورت رایگان دانلود کنید.

نمایش بیشتر
نمایش کمتر

مشخصات فنی

  • دارد

نظرات کاربران

تاکنون نظری ارسال نشده است.

شما هم می توانید درباره این کالا نظر بدهید

فایل های دانلود